Как следует из анализа технических характеристик резистивных материалов, приведенных в таблице, в настоящее время наиболее перспективным направлением в создании мощных фиксированных аттенюаторов является использование планарных пленочных резисторов, выполненных по современным методам микрополосковой технологии. При этом для обеспечения работы на высоком уровне входной СВЧ мощности в широкой полосе частот резистивная пленка должна располагаться на подложке из материала с высокой теплопроводностью и низким значением относительной диэлектрической проницаемости.
В настоящее время доступно большое количество диэлектрических подложек: поликристаллический алмаз; различные виды керамики на основе оксида алюминия (Al2O3), нитрида алюминия (AlN) и оксида бериллия (BeO).
В таблице ниже приведены основные характеристики резистивных материалов, применяемых в микрополосковой технологии для построения фиксированных СВЧ аттенюаторов: