Материалы в микрополосковой технологии

Как следует из анализа технических характеристик резистивных материалов, приведенных в таблице, в настоящее время наиболее перспективным направлением в создании мощных фиксированных аттенюаторов является использование планарных пленочных резисторов, выполненных по современным методам микрополосковой технологии. При этом для обеспечения работы на высоком уровне входной СВЧ мощности в широкой полосе частот резистивная пленка должна располагаться на подложке из материала с высокой теплопроводностью и низким значением относительной диэлектрической проницаемости.

В настоящее время доступно большое количество диэлектрических подложек: поликристаллический алмаз; различные виды керамики на основе оксида алюминия (Al₂O₃), нитрида алюминия (AlN) и оксида бериллия (BeO).

В таблице ниже приведены основные характеристики резистивных материалов, применяемых в микрополосковой технологии для построения фиксированных СВЧ аттенюаторов:

Сравнение технических характеристик данных подложек позволяет сделать вывод о целесообразности применения оксида бериллия (BeO) в изготовлении СВЧ аттенюаторов рассчитанных на большую мощность. Этот материал обладает высокой теплопроводностью и малым значением диэлектрической проницаемости ε_r=6.6, что позволяет обеспечить высокий уровень рассеиваемой мощности и минимизировать влияние паразитной емкости на параметры конечного устройства с увеличением частоты.