info@nesta-rf.ru
+7(383) 383-62-83

Материалы в микрополосковой технологии

Как следует из анализа технических характеристик резистивных материалов, приведенных в таблице, в настоящее время наиболее перспективным направлением в создании мощных фиксированных аттенюаторов является использование планарных пленочных резисторов, выполненных по современным методам микрополосковой технологии. При этом для обеспечения работы на высоком уровне входной СВЧ мощности в широкой полосе частот резистивная пленка должна располагаться на подложке из материала с высокой теплопроводностью и низким значением относительной диэлектрической проницаемости.

В настоящее время доступно большое количество диэлектрических подложек: поликристаллический алмаз; различные виды керамики на основе оксида алюминия (Al2O3), нитрида алюминия (AlN) и оксида бериллия (BeO).

В таблице ниже приведены основные характеристики резистивных материалов, применяемых в микрополосковой технологии для построения фиксированных СВЧ аттенюаторов:
Характеристики материалов для тонкопленочных резисторов
Таблица 1.1 – Характеристики материалов для тонкопленочных резисторов

Подложки выполненные из оксида бериллия
Рисунок 1 – Подложки выполненные из оксида бериллия (BeO)

Сравнение технических характеристик данных подложек позволяет сделать вывод о целесообразности применения оксида бериллия (BeO) в изготовлении СВЧ аттенюаторов рассчитанных на большую мощность. Этот материал обладает высокой теплопроводностью и малым значением диэлектрической проницаемости εr=6.6, что позволяет обеспечить высокий уровень рассеиваемой мощности и минимизировать влияние паразитной емкости на параметры конечного устройства с увеличением частоты.

Характеристики материалов подложек
Таблица 1.2 – Характеристики материалов подложек